Número do Produto do Fabricante:
FCP150N65F
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FCP150N65F-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
12849961
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FCP150N65F Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™, Polar™
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 2.4mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3737 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
298W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
FCP150
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
FCP150N65F-DG
FCP150N65FOS
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPP60R190P6XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5594
NÚMERO DA PEÇA
IPP60R190P6XKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.19
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
2997
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PREÇO UNITÁRIO
2.32
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
68
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PREÇO UNITÁRIO
5.39
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PREÇO UNITÁRIO
1.77
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1.44
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