Número do Produto do Fabricante:
SIHG61N65EF-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHG61N65EF-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 64A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventário:
12787044
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SIHG61N65EF-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
E
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 30.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
371 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7407 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
520W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247AC
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
SIHG61
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STW69N65M5
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
485
NÚMERO DA PEÇA
STW69N65M5-DG
PREÇO UNITÁRIO
7.27
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IPW60R045CPAFKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
83
NÚMERO DA PEÇA
IPW60R045CPAFKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
12.42
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IXKH70N60C5
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
301
NÚMERO DA PEÇA
IXKH70N60C5-DG
PREÇO UNITÁRIO
14.49
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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