Número do Produto do Fabricante:
SIHG24N65E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHG24N65E-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventário:
860 Pcs Novo Original Em Estoque
12915817
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIHG24N65E-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2740 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247AC
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
SIHG24
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
742-SIHG24N65E-GE3
SIHG24N65E-GE3-DG
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SQR40N10-25_GE3
MOSFET N-CH 100V 40A TO252 REV
SIR696DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
SI7858ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
