SI7858ADP-T1-E3
Número do Produto do Fabricante:

SI7858ADP-T1-E3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI7858ADP-T1-E3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 12 V 20A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventário:

5150 Pcs Novo Original Em Estoque
12915826
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SI7858ADP-T1-E3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 29A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5700 pF @ 6 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.9W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SI7858

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SI7858ADP-T1-E3CT
SI7858ADP-T1-E3DKR
SI7858ADPT1E3
SI7858ADP-T1-E3TR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SI9424BDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SO

vishay-siliconix

SQM40010EL_GE3

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

vishay-siliconix

SQ4005EY-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC

nexperia

PMPB10XNEAX

MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6