SQJ460AEP-T2_GE3
Número do Produto do Fabricante:

SQJ460AEP-T2_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQJ460AEP-T2_GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 60V 58A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 58A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventário:

13277356
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SQJ460AEP-T2_GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.7mOhm @ 10.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2654 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
68W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SQJ460

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
742-SQJ460AEP-T2_GE3TR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
SQJ460AEP-T1_BE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5888
NÚMERO DA PEÇA
SQJ460AEP-T1_BE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.51
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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