Número do Produto do Fabricante:
SIHB35N60EF-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHB35N60EF-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 32A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
12 Pcs Novo Original Em Estoque
12917423
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIHB35N60EF-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Bulk
Série
EF
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
97mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
134 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2568 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SIHB35
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIHB35N60EF-GE3CT-DG
SIHB35N60EF-GE3CTINACTIVE
SIHB35N60EF-GE3TR
SIHB35N60EF-GE3TR-DG
SIHB35N60EF-GE3DKR-DG
SIHB35N60EF-GE3DKRINACTIVE
SIHB35N60EF-GE3CT
SIHB35N60EF-GE3DKR
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FCB070N65S3
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
375
NÚMERO DA PEÇA
FCB070N65S3-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.04
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SI3455ADV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP
SI4186DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
SQS460ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
