Número do Produto do Fabricante:
SQS460ENW-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQS460ENW-T1_GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 8A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
Inventário:
12917435
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SQS460ENW-T1_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
755 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
39W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8W
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8W
Número do produto base
SQS460
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SQS460ENW-T1_GE3DKR
SQS460ENW-T1_GE3CT
SQS460ENW-T1_GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SI5419DU-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
SI3447BDV-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 4.5A 6TSOP
SI4630DY-T1-E3
MOSFET N-CH 25V 40A 8SO