SIHB24N65ET5-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SIHB24N65ET5-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIHB24N65ET5-GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventário:

12786485
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SIHB24N65ET5-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
E
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2740 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SIHB24

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Pacote padrão
800

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
STB20N65M5
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
845
NÚMERO DA PEÇA
STB20N65M5-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.46
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IXFA22N65X2
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
250
NÚMERO DA PEÇA
IXFA22N65X2-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.56
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
R6020ENJTL
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
9101
NÚMERO DA PEÇA
R6020ENJTL-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.15
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
SPB20N60C3ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
4719
NÚMERO DA PEÇA
SPB20N60C3ATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.53
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IPB65R190CFDAATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
256
NÚMERO DA PEÇA
IPB65R190CFDAATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.27
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SIS454DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SQJ456EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIRA18DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQJA02EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8