Número do Produto do Fabricante:
SPB20N60C3ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPB20N60C3ATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO263-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventário:
4719 Pcs Novo Original Em Estoque
12805565
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SPB20N60C3ATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ C3
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20.7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.9V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2400 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3-2
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SPB20N60
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SPB20N60C3INTR-DG
SPB20N60C3ATMA1DKR
SPB20N60C3INCT-DG
SPB20N60C3INDKR-DG
SPB20N60C3ATMA1CT
SPB20N60C3INCT
SPB20N60C3XT-DG
SP000013520
SPB20N60C3
SPB20N60C3XT
SPB20N60C3INTR
SPB20N60C3INDKR
SPB20N60C3ATMA1TR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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