Número do Produto do Fabricante:
SIHB15N65E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHB15N65E-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
12787511
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SIHB15N65E-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1640 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
34W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SIHB15
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK14G65W,RQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3525
NÚMERO DA PEÇA
TK14G65W,RQ-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.93
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
STB25N80K5
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
630
NÚMERO DA PEÇA
STB25N80K5-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.75
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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