Número do Produto do Fabricante:
TK14G65W,RQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK14G65W,RQ-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventário:
3525 Pcs Novo Original Em Estoque
12891492
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
TK14G65W,RQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
DTMOSIV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 690µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 300 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
130W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
TK14G65
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TK14G65W,RQ(S
TK14G65WRQTR
TK14G65WRQCT
TK14G65WRQDKR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
BSS138W-7
MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323
2SK2035(T5L,F,T)
MOSFET N-CH 20V 100MA SSM
TPH5R906NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
