SIA911ADJ-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SIA911ADJ-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIA911ADJ-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 20V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Inventário:

12916274
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SIA911ADJ-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
116mOhm @ 2.8A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
345pF @ 10V
Potência - Máx.
6.5W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Número do produto base
SIA911

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SQJ204EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8

vishay-siliconix

SIA918EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SQ1922EEH-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6

vishay-siliconix

SI9934BDY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC