Número do Produto do Fabricante:
SQJ204EP-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQJ204EP-T1_GE3-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 12V 20A (Tc), 60A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Inventário:
9000 Pcs Novo Original Em Estoque
12916278
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SQJ204EP-T1_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Potência - Máx.
27W (Tc), 48W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Número do produto base
SQJ204
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SQJ204EP-T1_GE3DKR
SQJ204EP-T1_GE3CT
SQJ204EP-T1_GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIA918EDJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
SQ1922EEH-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6
SI9934BDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC