SIA430DJT-T4-GE3

Número do Produto do Fabricante:

SIA430DJT-T4-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIA430DJT-T4-GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAK

Descrição Detalhada:

N-Channel 20 V 12A (Ta), 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Inventário:

RFQ Online

12920241

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SIA430DJT-T4-GE3 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Vishay

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Série

TrenchFET®

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

20 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

12A (Ta), 12A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 7A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

3V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

18 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

800 pF @ 10 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

3.5W (Ta), 19.2W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

PowerPAK® SC-70-6

Pacote / Estojo

PowerPAK® SC-70-6

Número do produto base

SIA430

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Pacote padrão

3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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