SQM100N04-2M7_GE3
Número do Produto do Fabricante:

SQM100N04-2M7_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQM100N04-2M7_GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 157W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventário:

12920251
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SQM100N04-2M7_GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7910 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
157W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SQM100

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SQM100N04-2M7-GE3
SQM100N04-2M7-GE3-DG
Pacote padrão
800

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
IPB100N04S2L03ATMA2
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IPB100N04S2L03ATMA2-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.80
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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