Número do Produto do Fabricante:
SI8819EDB-T2-E1
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI8819EDB-T2-E1-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Descrição Detalhada:
P-Channel 12 V 2.9A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Inventário:
5990 Pcs Novo Original Em Estoque
12913841
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SI8819EDB-T2-E1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 3.7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 1.5A, 3.7V
vgs(th) (máx) @ id
900mV @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
650 pF @ 6 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
900mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Pacote / Estojo
4-XFBGA
Número do produto base
SI8819
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SI8819EDB-T2-E1-DG
SI8819EDB-T2-E1TR
SI8819EDB-T2-E1DKR
SI8819EDB-T2-E1CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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