SI7478DP-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SI7478DP-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI7478DP-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 15A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventário:

4624 Pcs Novo Original Em Estoque
12913849
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SI7478DP-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
15A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.9W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SI7478

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SI7478DPT1GE3
SI7478DP-T1-GE3DKR
SI7478DP-T1-GE3CT
SI7478DP-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
littelfuse

IXFQ30N60X

MOSFET N-CH 600V 30A TO3P

vishay-siliconix

SI7114ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

vishay-siliconix

SI4122DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO

vishay-siliconix

SI7409ADN-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 7A PPAK1212-8