SI7925DN-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SI7925DN-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI7925DN-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET 2P-CH 12V 4.8A PPAK 1212
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 12V 4.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual

Inventário:

12955277
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SI7925DN-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potência - Máx.
1.3W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8 Dual
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8 Dual
Número do produto base
SI7925

Informação Adicional

Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
SI7913DN-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1751
NÚMERO DA PEÇA
SI7913DN-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.62
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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