Número do Produto do Fabricante:
NDS9952A-F011
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NDS9952A-F011-DG
Descrição:
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V 2.9A 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
12958363
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NDS9952A-F011 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
N and P-Channel
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.8V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V, 5nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
320pF @ 10V
Potência - Máx.
900mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Número do produto base
NDS995
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
488-NDS9952A-F011TR
2832-NDS9952A-F011TR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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