SI7810DN-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SI7810DN-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI7810DN-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 3.4A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Inventário:

891 Pcs Novo Original Em Estoque
12919910
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SI7810DN-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
62mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.5W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8
Número do produto base
SI7810

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SI7810DN-T1-GE3TR
SI7810DN-T1-GE3CT
SI7810DNT1GE3
SI7810DN-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
AON7296
FABRICANTE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
125823
NÚMERO DA PEÇA
AON7296-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.19
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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