Número do Produto do Fabricante:
SI7120DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI7120DN-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 6.3A (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventário:
12919962
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SI7120DN-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Recurso FET
-
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8
Número do produto base
SI7120
Informação Adicional
Outros nomes
SI7120DNT1GE3
SI7120DN-T1-GE3CT
SI7120DN-T1-GE3DKR
SI7120DN-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SI7120ADN-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3413
NÚMERO DA PEÇA
SI7120ADN-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.55
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIE822DF-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
SI9410BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO
SIHD3N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
