SI7455DP-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SI7455DP-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI7455DP-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
P-Channel 80 V 28A (Tc) 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventário:

12916094
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SI7455DP-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5160 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SI7455

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
SQJ469EP-T1_GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
8792
NÚMERO DA PEÇA
SQJ469EP-T1_GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.21
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SIS890DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SQJ409EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIE818DF-T1-E3

MOSFET N-CH 75V 60A 10POLARPAK

vishay-siliconix

SQJ401EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8