SQJ409EP-T1_GE3
Número do Produto do Fabricante:

SQJ409EP-T1_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQJ409EP-T1_GE3-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
P-Channel 40 V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventário:

9688 Pcs Novo Original Em Estoque
12916101
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SQJ409EP-T1_GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11000 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
68W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SQJ409

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SQJ409EP-T1_GE3DKR
SQJ409EP-T1_GE3TR
SQJ409EP-T1_GE3CT
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SIE818DF-T1-E3

MOSFET N-CH 75V 60A 10POLARPAK

vishay-siliconix

SQJ401EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI7421DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8

vishay-siliconix

SQ3427EV-T1_GE3

MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP