Número do Produto do Fabricante:
SI5482DU-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI5482DU-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
Inventário:
12914359
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SI5482DU-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 7.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1610 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® ChipFET™ Single
Pacote / Estojo
PowerPAK® ChipFET™ Single
Número do produto base
SI5482
Informação Adicional
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SI5418DU-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1882
NÚMERO DA PEÇA
SI5418DU-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.45
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SI8806DB-T2-E1
MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
SI4108DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
IRFR9210TRR
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK