SI4108DY-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SI4108DY-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI4108DY-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
Descrição Detalhada:
N-Channel 75 V 20.5A (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventário:

12914377
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SI4108DY-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
75 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.8mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2100 pF @ 38 V
Recurso FET
-
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
SI4108

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SI4108DY-T1-GE3CT
SI4108DYT1GE3
SI4108DY-T1-GE3TR
SI4108DY-T1-GE3DKR
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
DMT6010LSS-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5713
NÚMERO DA PEÇA
DMT6010LSS-13-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.46
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

IRFR9210TRR

MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK

vishay-siliconix

SI4636DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 17A 8SO

vishay-siliconix

IRLU014PBF

MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA

vishay-siliconix

IRFP22N60C3PBF

MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3