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Perguntas Frequentes
Número do Produto do Fabricante:
SI4914BDY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI4914BDY-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A/8A 8SOIC
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V 8.4A, 8A 2.7W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
RFQ Online
12915777
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ENVIAR
SI4914BDY-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
LITTLE FOOT®
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8.4A, 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.7V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10.5nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potência - Máx.
2.7W, 3.1W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Número do produto base
SI4914
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
SI4914BDY
Fichas Técnicas
SI4914BDY-T1-GE3
Folha de Dados HTML
SI4914BDY-T1-GE3-DG
Informação Adicional
Outros nomes
SI4914BDY-T1-GE3CT
SI4914BDY-T1-GE3DKR
SI4914BDYT1GE3
SI4914BDY-T1-GE3TR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SI4816BDY-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
SI4816BDY-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.63
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
SH8K4TB1
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2436
NÚMERO DA PEÇA
SH8K4TB1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.73
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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