Número do Produto do Fabricante:
SI8475EDB-T1-E1
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI8475EDB-T1-E1-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 4.9A (Ta) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Inventário:
12918227
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SI8475EDB-T1-E1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Vgs (máx.)
±12V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-Microfoot
Pacote / Estojo
4-XFBGA, CSPBGA
Número do produto base
SI8475
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI8475EDB-T1-E1CT
SI8475EDB-T1-E1TR
SI8475EDBT1E1
SI8475EDB-T1-E1DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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