SI4483EDY-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SI4483EDY-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI4483EDY-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventário:

12914518
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SI4483EDY-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Vgs (máx.)
±25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.5W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
SI4483

Informação Adicional

Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
DMG4413LSS-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3968
NÚMERO DA PEÇA
DMG4413LSS-13-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.32
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

IRFBE20STRR

MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

vishay-siliconix

SI2306BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

vishay-siliconix

IRFP360LCPBF

MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3

littelfuse

IXTT360N055T2

MOSFET N-CH 55V 360A TO268