IRFBE20STRR

Número do Produto do Fabricante:

IRFBE20STRR

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

IRFBE20STRR-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Descrição Detalhada:

N-Channel 800 V 1.8A (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventário:

RFQ Online

12914519

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IRFBE20STRR Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Vishay

Embalagem

-

Série

-

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

800 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

1.8A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5Ohm @ 1.1A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

4V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

38 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

530 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

-

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-263 (D2PAK)

Pacote / Estojo

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Número do produto base

IRFBE20

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

IRFBE20, SiHFBE20

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Pacote padrão

800

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

RoHS non-compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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