Número do Produto do Fabricante:
SI4151DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI4151DY-T1-GE3-DG
Descrição:
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 15.2A (Ta), 20.5A (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
4459 Pcs Novo Original Em Estoque
12976042
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SI4151DY-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
15.2A (Ta), 20.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3250 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
742-SI4151DY-T1-GE3DKR
742-SI4151DY-T1-GE3CT
742-SI4151DY-T1-GE3TR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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