Número do Produto do Fabricante:
SIR1309DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIR1309DP-T1-GE3-DG
Descrição:
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 19.1A (Ta), 65.7A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
5162 Pcs Novo Original Em Estoque
12976043
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIR1309DP-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
19.1A (Ta), 65.7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3250 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
742-SIR1309DP-T1-GE3TR
742-SIR1309DP-T1-GE3DKR
742-SIR1309DP-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIDR500EP-T1-RE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
SQA411CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
SQJQ130EL-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
