Número do Produto do Fabricante:
SI4110DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI4110DY-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 17.3A 8SO
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 17.3A (Tc) 3.6W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
12913651
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SI4110DY-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
17.3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 11.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2205 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.6W (Ta), 7.8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
SI4110
Informação Adicional
Outros nomes
SI4110DY-T1-GE3TR
SI4110DYT1GE3
SI4110DY-T1-GE3CT
SI4110DY-T1-GE3DKR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SI4896DY-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2500
NÚMERO DA PEÇA
SI4896DY-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.72
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IRF7854TRPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
16813
NÚMERO DA PEÇA
IRF7854TRPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.62
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
SI4190ADY-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
SI4190ADY-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.69
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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