Número do Produto do Fabricante:
SI4896DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI4896DY-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 6.7A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
2500 Pcs Novo Original Em Estoque
12915957
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SI4896DY-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA (Min)
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.56W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
SI4896
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI4896DY-T1-GE3DKR
SI4896DY-T1-GE3TR
SI4896DY-T1-GE3CT
SI4896DYT1GE3
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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