Número do Produto do Fabricante:
SI3499DV-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI3499DV-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Descrição Detalhada:
P-Channel 8 V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventário:
7129 Pcs Novo Original Em Estoque
12914236
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SI3499DV-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
8 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
750mV @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±5V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.1W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-TSOP
Pacote / Estojo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número do produto base
SI3499
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI3499DV-T1-GE3-DG
SI3499DVT1GE3
SI3499DV-T1-GE3TR
SI3499DV-T1-GE3CT
SI3499DV-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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