Número do Produto do Fabricante:
IXFY4N60P3
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFY4N60P3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
12914248
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IXFY4N60P3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
-
Série
HiPerFET™, Polar3™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
365 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
114W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IXFY4
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
-IXFY4N60P3
Pacote padrão
70
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPD80R2K0P7ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
67
NÚMERO DA PEÇA
IPD80R2K0P7ATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.32
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FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
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PREÇO UNITÁRIO
0.42
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
9
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0.34
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PREÇO UNITÁRIO
1.07
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
49
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PREÇO UNITÁRIO
1.41
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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