Número do Produto do Fabricante:
SI3459BDV-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI3459BDV-T1-E3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 2.9A (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventário:
7624 Pcs Novo Original Em Estoque
12912718
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SI3459BDV-T1-E3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
216mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
350 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.3W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-TSOP
Pacote / Estojo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número do produto base
SI3459
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SI3459BDV-T1-E3CT
SI3459BDV-T1-E3TR
SI3459BDV-T1-E3DKR
SI3459BDV-T1-E3-DG
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SI7615DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
IRFU9210
MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA
SI4128DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO