Número do Produto do Fabricante:
SI7611DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI7611DN-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Descrição Detalhada:
P-Channel 40 V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventário:
5575 Pcs Novo Original Em Estoque
12912734
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SI7611DN-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 9.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1980 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.7W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de operação
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8
Número do produto base
SI7611
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI7611DN-T1-GE3DKR
SI7611DNT1GE3
SI7611DN-T1-GE3TR
SI7611DN-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRLR110PBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
IRFPS40N50L
MOSFET N-CH 500V 46A SUPER247
IXTQ160N075T
MOSFET N-CH 75V 160A TO3P
