SI2333DDS-T1-BE3

Número do Produto do Fabricante:

SI2333DDS-T1-BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI2333DDS-T1-BE3-DG

Descrição:

P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET

Descrição Detalhada:

P-Channel 12 V 5A (Ta), 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventário:

5801 Pcs Novo Original Em Estoque

12977817

Solicitar Orçamento

Quantidade
Mínimo 1

(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas

ENVIAR

SI2333DDS-T1-BE3 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Vishay

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Série

-

Status do produto

Active

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

12 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

5A (Ta), 6A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 5A, 4.5V

vgs(th) (máx) @ id

1V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

35 nC @ 8 V

Vgs (máx.)

±8V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1275 pF @ 6 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

1.2W (Ta), 1.7W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

SOT-23-3 (TO-236)

Pacote / Estojo

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes

742-SI2333DDS-T1-BE3TR

Pacote padrão

3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produtos Relacionados

vishay-siliconix

SIHA21N60EF-GE3

N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

SIHFR9220-GE3

MOSFET P-CHANNEL 200V

vishay-siliconix

SI2347DS-T1-BE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SQJ407EP-T1_BE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET