Número do Produto do Fabricante:
SIHFR9220-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHFR9220-GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CHANNEL 200V
Descrição Detalhada:
P-Channel 200 V 3.6A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
3897 Pcs Novo Original Em Estoque
12977819
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SIHFR9220-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
340 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
742-SIHFR9220-GE3DKR-DG
742-SIHFR9220-GE3DKRINACTIVE
742-SIHFR9220-GE3
742-SIHFR9220-GE3DKR
742-SIHFR9220-GE3TR
742-SIHFR9220-GE3TR-DG
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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