SI1470DH-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SI1470DH-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI1470DH-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 5.1A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6

Inventário:

12917226
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SI1470DH-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
66mOhm @ 3.8A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.6V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
510 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-70-6
Pacote / Estojo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Número do produto base
SI1470

Informação Adicional

Outros nomes
SI1470DH-T1-GE3DKR
SI1470DH-T1-GE3TR
SI1470DHT1GE3
SI1470DH-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SI1021R-T1-GE3

MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A

vishay-siliconix

SI2307BDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

vishay-siliconix

SIR808DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI8445DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V 9.8A 4MICROFOOT