Número do Produto do Fabricante:
SI8445DB-T2-E1
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI8445DB-T2-E1-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 9.8A 4MICROFOOT
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 9.8A (Tc) 1.8W (Ta), 11.4W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Inventário:
12917242
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SI8445DB-T2-E1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9.8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
84mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
850mV @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
700 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.8W (Ta), 11.4W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-Microfoot
Pacote / Estojo
4-XFBGA, CSPBGA
Número do produto base
SI8445
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI8445DB-T2-E1TR
SI8445DB-T2-E1DKR
SI8445DBT2E1
SI8445DB-T2-E1CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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