IRLZ34SPBF
Número do Produto do Fabricante:

IRLZ34SPBF

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

IRLZ34SPBF-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 60V 30A TO263
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventário:

1946 Pcs Novo Original Em Estoque
12912397
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

IRLZ34SPBF Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 18A, 5V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1600 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.7W (Ta), 88W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IRLZ34

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Pacote padrão
50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SI1032X-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3

vishay-siliconix

IRFU310

MOSFET N-CH 400V 1.7A TO251AA

vishay-siliconix

SI7370ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI7476DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8