Número do Produto do Fabricante:
SI1032X-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI1032X-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Inventário:
6434 Pcs Novo Original Em Estoque
12912401
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SI1032X-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
0.75 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±6V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
300mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-89-3
Pacote / Estojo
SC-89, SOT-490
Número do produto base
SI1032
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI1032X-T1-GE3TR
SI1032X-T1-GE3CT
SI1032X-T1-GE3DKR
SI1032XT1GE3
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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