Número do Produto do Fabricante:
2N6661-2
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
2N6661-2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Descrição Detalhada:
N-Channel 90 V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventário:
12893005
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2N6661-2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
90 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
860mA (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-39
Pacote / Estojo
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Número do produto base
2N6661
Informação Adicional
Pacote padrão
20
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
2N6661
FABRICANTE
Solid State Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
6694
NÚMERO DA PEÇA
2N6661-DG
PREÇO UNITÁRIO
4.60
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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