2N6661
Número do Produto do Fabricante:

2N6661

Product Overview

Fabricante:

Solid State Inc.

DiGi Electronics Número da Peça:

2N6661-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 90V 900MA TO39
Descrição Detalhada:
N-Channel 90 V 900mA (Tc) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39

Inventário:

6694 Pcs Novo Original Em Estoque
12971657
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

2N6661 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Manufacturers
Embalagem
Box
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
90 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
900mA (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 1mA
Vgs (máx.)
±40V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)
6.25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-39
Pacote / Estojo
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
2383-2N6661
Pacote padrão
10

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
microchip-technology

APT14M120S

MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK

panjit

PJL9434A_R2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD4NA65_L2_00001

650V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJP40N06A_T0_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M