UF3C170400K3S
Número do Produto do Fabricante:

UF3C170400K3S

Product Overview

Fabricante:

Qorvo

DiGi Electronics Número da Peça:

UF3C170400K3S-DG

Descrição:

SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 1700 V 7.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventário:

12199 Pcs Novo Original Em Estoque
12955204
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

UF3C170400K3S Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Qorvo
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1700 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
515mOhm @ 5A, 12V
vgs(th) (máx) @ id
6V @ 10mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
27.5 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
740 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
UF3C170400

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
2312-UF3C170400K3S
Pacote padrão
30

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
fairchild-semiconductor

FCP170N60

MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J356R,LXHF

AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F

vishay-siliconix

IRL530STRR

MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK

onsemi

FDC658APG

MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6