SSM3J356R,LXHF
Número do Produto do Fabricante:

SSM3J356R,LXHF

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

SSM3J356R,LXHF-DG

Descrição:

AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F

Inventário:

5418 Pcs Novo Original Em Estoque
12955228
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SSM3J356R,LXHF Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVI
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+10V, -20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
330 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de operação
150°C
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23F
Pacote / Estojo
SOT-23-3 Flat Leads

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
264-SSM3J356R,LXHFCT
SSM3J356R,LXHF(B
SSM3J356RLXHF
264-SSM3J356R,LXHFTR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

IRL530STRR

MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK

onsemi

FDC658APG

MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6

infineon-technologies

IAUC60N04S6L039ATMA1

IAUC60N04S6L039ATMA1

rohm-semi

RD3L07BATTL1

PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3