Número do Produto do Fabricante:
TP90H180PS
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
DiGi Electronics Número da Peça:
TP90H180PS-DG
Descrição:
GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 900 V 15A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
13445124
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TP90H180PS Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
900 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
205mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.6V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±18V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
780 pF @ 600 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
TP90H180
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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