Número do Produto do Fabricante:
TPH3207WS
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
DiGi Electronics Número da Peça:
TPH3207WS-DG
Descrição:
GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 50A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventário:
13445537
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TPH3207WS Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 32A, 8V
vgs(th) (máx) @ id
2.65V @ 700µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±18V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2197 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
178W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SIHG73N60AE-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
SIHG73N60AE-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
5.23
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PREÇO UNITÁRIO
12.32
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PREÇO UNITÁRIO
5.65
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