Número do Produto do Fabricante:
TP65H035G4WSQA
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
DiGi Electronics Número da Peça:
TP65H035G4WSQA-DG
Descrição:
650 V 46.5 GAN FET
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 47.2A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventário:
293 Pcs Novo Original Em Estoque
12968099
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TP65H035G4WSQA Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
47.2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.8V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
187W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
1707-TP65H035G4WSQA
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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